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专利名称：一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法专利类型：发明专利
发明人：蒲红斌,王曦,胡丹丹,封先锋申请号：CN201810247357.8申请日：20180323公开号：CN108550523A公开日：20180918
摘要：本发明公开了一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法，步骤包括：步骤1：采用RCA清洗液‑丙酮‑酒精‑去离子水依次对碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在清洗干燥后的碳化硅晶片表面涂胶，使用匀胶机进行匀胶，得到涂胶晶片；步骤3：使用热板对涂胶晶片进行前烘；步骤4：使用光刻机对涂胶晶片进行光刻版掩蔽曝光；步骤5：使用显影液显影；步骤6：使用热板对显影后的光刻胶进行坚膜；步骤7：使用高温真空设备再对坚膜后的光刻胶进行碳化；步骤8：使用高温真空设备再对碳化处理后的光刻胶晶片进行高温退火。本发明的方法，提高了碳化硅欧姆电极的耐高温特性。
申请人：西安理工大学
地址：710048 陕西省西安市金花南路5号
国籍：CN
代理机构：西安弘理专利事务所
代理人：王奇
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