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专利名称：一种Zr掺杂CeO过渡层薄膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：赵跃,索红莉,刘敏,何东,高忙忙,曹玲柱,马麟,周美玲申请号：CN200810056823.0申请日：20080125公开号：CN1012196A公开日：20080716
摘要：一种Zr掺杂CeO过渡层薄膜及其制备方法，属于高温涂层超导材料制备技术领域。本发明所提供的CeZrO(0.1≤x≤0.5)薄膜通过以下方法获得：首先，将有机Ce盐和有机Zr盐按照阳离子摩尔比1－x∶x，其中0.1≤x≤0.5，溶解到正丙酸和甲醇或乙酰丙酮的溶液中得到前驱溶液；然后将前驱液用旋涂或者浸涂的方法沉积到NiW合金基带或单晶基板上，在通有保护气的条件下，于950～1200℃烧结15～120分钟，获得CeZrO薄膜。本发明的厚度可以达到30～250nm，膜表面致密平整，没有微观裂纹和孔洞，具有较高的织构，制备工艺简单，成本低廉。
申请人：北京工业大学
地址：100022 北京市朝阳区平乐园100号
国籍：CN
代理机构：北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人：张燕慧
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