（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201680028567.7 （22）申请日 2016.02.24 （71）申请人 夏普株式会社
地址 日本国大阪府堺市堺区匠町1番地
（10）申请公布号 CN107667435B
（43）申请公布日 2020.02.28
书
（72）发明人 原田真臣;东贤一;神川刚;酒井敏彦;国吉督章;辻埜和也;邹柳民 （74）专利代理机构 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 汪飞亚
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
光电转换装置
（57）摘要
光电转换装置(1)具备以与半导体基板
(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体
层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。
法律状态
法律状态公告日
2018-02-06 2018-02-06 2018-02-06 2018-03-09 2018-03-09 2020-02-28
法律状态信息
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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