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专利名称：氧化铟锡层的形成专利类型：发明专利发明人：黄丽丽,钟志国申请号：CN201310053158.0申请日：20090807公开号：CN103173719A公开日：20130626
摘要：本发明涉及氧化铟锡（ITO）层的形成。本发明公开了用于在基片之上形成结晶氧化铟锡层的系统，用于对沉积在基片上的材料层进行退火的系统，以及材料的叠层。通过将材料加热至较高温度而在基片之上形成诸如结晶氧化铟锡的材料层，同时基片的温度增加以使得基片的温度不超过预定温度。例如，可以在基片之上沉积包括非晶ITO的层，并且可以在使用辐射在表面退火工艺中加热该非晶层同时基片温度。另一种工艺则可以让电流通过该非晶ITO。在另一种工艺中，让基片快速通过高温沉积室，由此沉积一部分非晶ITO层，同时基片的温度增加。
申请人：苹果公司
地址：美国加利福尼亚
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：张阳
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