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专利名称：一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：李涛,周春兰,宋洋,郜志华,罗运强,段野,李友忠,王文
静
申请号：CN201110234519.2申请日：20110816公开号：CN102254814A公开日：20111123
摘要：一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用。所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成。其中，氢氟酸溶液与溶剂的体积比为1∶1～10∶1。在激光刻蚀硅衬底之后，使用本发明选择性刻蚀溶液处理同时具有氧化硅和氮化硅的工作面，时间为5秒～120秒，处理之后能够在有效去除激光刻蚀区域氧化硅的同时，保留非激光刻蚀区域的氮化硅。
申请人：中国科学院电工研究所,中轻太阳能电池有限责任公司
地址：100190 北京市海淀区中关村北二条6号
国籍：CN
代理机构：北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人：关玲
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