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专利名称：用于在狭小空间各向同性蚀刻硅的无残留的系统和
方法
专利类型：发明专利
发明人：郭明书,钟清华,海琳·戴尔·普波,加内什·乌帕德亚雅,
高里·卡马尔提
申请号：CN201610087456.5申请日：20160216公开号：CN1055519A公开日：20160824
摘要：本发明涉及用于在狭小空间各向同性蚀刻硅的无残留的系统和方法。用于蚀刻衬底的系统和方法包括在处理室中布置包括第一结构和虚设结构的衬底。所述第一结构由选自二氧化硅和氮化硅组成的组中的材料制成。所述虚设结构由硅制成。供给载气至所述处理室。供给三氟化氮和氢分子气体至所述处理室。在所述处理室激励等离子体。蚀刻所述虚设结构。
申请人：朗姆研究公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海胜康律师事务所
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