专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：快恢复二极管制作方法及由该方法制作的快恢复二
极管
专利类型：发明专利
发明人：郭润庆,陈芳林,颜骥,高建宁申请号：CN201610618733.0申请日：20160801公开号：CN107680907A公开日：20180209
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管制作方法及由该方法制作的快恢复二极管，制作方法包括以下步骤：1)选取N型硅圆片；2)进行铝预沉积，使硅圆片内形成PNP型纵向结构；3)保护硅圆片的阳极面，去除硅圆片的阴极面的PN结，使硅圆片内形成PN型纵向结构；4)在硅圆片的阳极面进行硼离子注入；5)在硅圆片的阳极面进行铝、硼杂质深结扩散，使硅圆片内形成PPN型纵向结构；6)在硅圆片的阴极面进行磷杂质掺杂扩散，使硅圆片内形成PPNN型纵向结构；7)进行硅圆片的后处理工序，完成芯片的制作。本发明能够克服现有阳极低温键合型FRD制造方法的工艺成本高、成品率低、长期可靠性差的技术缺陷。
申请人：株洲中车时代电气股份有限公司
地址：412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
国籍：CN
代理机构：湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
代理人：赵洪
更多信息请下载全文后查看
