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专利名称：一种基于地层模拟的电阻率校正方法专利类型：发明专利发明人：向葵,童小龙,严良俊申请号：CN202010059532.8申请日：20200119公开号：CN111255446A公开日：20200609
摘要：本发明公开了一种基于地层模拟的电阻率校正方法，通过实验室测试建立不同岩性电阻率随包括温度、压力、孔隙度在内的因素变化的理论模型，将测区岩石电性的测井资料、实验室测量资料校正至相应的地层条件，建立有效的地电初始模型。本发明通过模拟岩样所在测区不同深度的温压环境，测量岩石不同深度条件下的复电阻率振幅与相位，获取岩石激电参数与温度压力关系，进而对已有的地电资料进行校正，获取电磁勘探意义下的初始地电模型，其目的是解决岩石地电的测井资料、实验室资料与勘探条件不匹配问题，为电磁勘探反演解释评价提供重要参数依据。
申请人：长江大学
地址：434000 湖北省荆州市南环路1号
国籍：CN
代理机构：北京金智普华知识产权代理有限公司
代理人：杨采良
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