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专利名称：一种合成高纯砷烷的方法专利类型：发明专利发明人：尹恩华,武峰,巩建民申请号：CN201010233369.9申请日：20100722公开号：CN101857270A公开日：20101013
摘要：本发明一种合成高纯砷烷的方法，属于电子气体合成纯化技术领域；该方法包括步骤(1)、粗制砷烷的合成过程：先用砷粉和锌粉制成砷化锌，再与稀硫酸反应得到粗制砷烷；和(2)、高纯砷烷的纯化过程：对粗制砷烷采用液氮冷阱低温真空分离、分子筛吸附干燥和镓-铟合金深吸附脱水、氧。本发明所述的方法能深度脱除氧、水和二氧化碳等电子材料中有害杂质，一般可以达到0.01～0.1ppm以下；纯化剂主体镓-铟合金可以反复使用，使用寿命除化学处理稍许损失外，理论上具有很长的使用寿命。
申请人：武峰
地址：277100 山东省枣庄市市中区车站北街20号院4号楼1单元102室
国籍：CN
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