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铜化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法[发明专利]

来源:微智科技网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:铜化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法专利类型:发明专利

发明人:吉野智晴,远津正挥,樱井淳,西田章浩,冈部诚申请号:CN201580024971.2申请日:20150408公开号:CN1058849A公开日:20170222

摘要:本发明的铜化合物由下述通式(I)表示。通式(I)中,R~R各自地表示碳数1~5的直链或支链烷基,其中,R和R为甲基时,R表示碳数2~5的直链或支链烷基;R为甲基、R为乙基时,R表示甲基或碳数3~5的直链或支链烷基。另外,本发明的薄膜形成用原料含有上述通式(I)表示的铜化合物。根据本发明,可提供熔点低、可在液体状态下输送、而且蒸气压大、容易气化的铜化合物及使用其的薄膜形成用原料。

申请人:株式会社ADEKA

地址:日本东京

国籍:JP

代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人:吴宗颐

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